Тег: память
ИИ-процессоры получат до 400 ГБ памяти: новый тренд в дата-центрах
Производители ИИ-процессоров готовятся оснащать будущие чипы 300–400 ГБ памяти HBM, догоняя по этому показателю мощные GPU-ускорители для ЦОД.
Samsung официально прекратила выпуск памяти LPDDR4 и LPDDR4X
Samsung сворачивает производство памяти LPDDR4 и LPDDR4X, переключаясь на выпуск более востребованных LPDDR5 и HBM из-за бума ИИ-индустрии.
Apple прогнозирует рост цен на память из-за дефицита чипов для ИИ
Apple ожидает значительного увеличения затрат на покупку оперативной и флеш-памяти в 2026 году. Основная причина — приоритет производителей на ИИ-серверах.
Apple готовится к резкому росту расходов на память во втором квартале...
Apple прогнозирует рост расходов на покупку памяти во втором квартале и далее из-за дефицита чипов, вызванного бумом ИИ и переориентацией поставок на серверный сегмент.
Бум ИИ сделал микросхемы памяти одним из самых прибыльных продуктов в...
Индустрия микросхем памяти переживает беспрецедентный рост на фоне бума ИИ. Чистая прибыль лидеров рынка, таких как Samsung, SK hynix и Micron, бьет рекорды, а дефицит чипов может сохраниться до 2028 года.
Операционная прибыль Samsung в сегменте полупроводников выросла в 54 раза
Полупроводниковое подразделение Samsung продемонстрировало взрывной рост прибыли благодаря спросу на HBM-память для систем ИИ.
Intel представила память HB3DM с пропускной способностью до 5,3 Тбайт/с
Стартап Saimemory разрабатывает память HB3DM, способную превзойти HBM4 по пропускной способности в два раза. Технические подробности новой архитектуры.
Спрос на память останется высоким до конца десятилетия, как ожидают аналитики...
Аналитики Melius Research прогнозируют сохранение высокого спроса на микросхемы памяти до конца текущего десятилетия на фоне развития искусственного интеллекта.
Забастовка рабочих Samsung сократит мировой выпуск памяти
Забастовка сотрудников Samsung Electronics на заводе в Пхёнтхэке грозит снижением мирового выпуска памяти DRAM и NAND на фоне дефицита и роста цен.
Samsung получила первый работоспособный кристалл памяти, выпущенный по технологии тоньше 10...
Samsung Electronics изготовила первый работоспособный образец кристалла DRAM по техпроцессу тоньше 10 нм с линейными размерами от 9,5 до 9,7 нм.
