В период президентства Джо Байдена власти США стремились ограничить возможности южнокорейских производителей памяти по расширению и модернизации их заводов в Китае, которые обеспечивают значительную долю мирового рынка. Несмотря на это, Samsung и SK hynix смогли сохранить доступ к необходимому американскому оборудованию, продолжая инвестировать в развитие своих китайских мощностей.
Согласно данным издания Business Korea, в прошлом году компания Samsung Electronics направила на модернизацию своего предприятия в китайском Сиане $344 млн, что на 67,5% превышает показатели предыдущего периода. Эта площадка является ключевым зарубежным активом Samsung для выпуска NAND-памяти, обеспечивающим до 40% мирового объема продукции компании в данном сегменте. После крупных вложений в 2019 году ($464 млн) инвестиции носили эпизодический характер: в 2024 году на поддержку завода было выделено $184 млн, однако в прошедшем году компания существенно нарастила финансирование.
Конкурирующая SK hynix продемонстрировала еще более внушительные показатели, вложив в свои китайские активы по итогам года более $663 млн. Компания управляет заводом по производству DRAM в Уси и предприятием по выпуску 3D NAND в Даляне, которое перешло к ней от Intel. Инвестиции в площадку в Уси выросли вдвое, достигнув $190 млн, а далянское подразделение получило $293 млн, что в полтора раза больше показателей 2024 года. В пересчете на южнокорейскую валюту общие вложения SK hynix превысили важную отметку в 1 трлн вон. Столь активное развитие производственной базы объясняется растущим дефицитом памяти, спровоцированным мировым бумом технологий искусственного интеллекта.
В ближайших планах Samsung — переход на выпуск в Китае более современной 236-слойной памяти 3D NAND, которая заменит текущие 128-слойные решения. На фоне того, что на основных мощностях в Южной Корее компания в этом году осваивает 400-слойную память, китайское предприятие продолжит работать на технологически более сдержанном уровне. SK hynix также проводит модернизацию: завод в Уси переходит с третьего на четвертое поколение 10-нм техпроцесса (1a), что позволит компании эффективно производить микросхемы DDR5. На долю этой площадки приходится более 30% от общего объема выпуска DRAM компанией SK hynix на мировом уровне.
