Китайский производитель полупроводников SMIC достиг значимых финансовых показателей, укрепив статус третьего по величине контрактного производителя чипов в мире. Согласно свежим данным аналитического агентства TrendForce, по итогам второго квартала 2026 года рыночная доля компании составила 5,4%, что превышает показатель первого квартала, равный 5,1%.
Финансовые показатели и рост производственных мощностей
За трехмесячный период, завершившийся в июне, выручка SMIC достигла отметки в 3 миллиарда долларов. Этот доход был обеспечен преимущественно за счет заказов от внутренних китайских компаний, развивающих производство кремниевых решений внутри страны. Для сравнения, во втором квартале 2025 года выручка компании составляла 2,2 миллиарда долларов при аналогичной доле рынка в 5,1%. Рост финансовых результатов свидетельствует о планомерном увеличении общих мощностей по всей цепочке поставок предприятия.
Технологический прогресс и ограничения в литографии
В настоящий момент наиболее совершенными производственными узлами SMIC являются техпроцессы классов N+2 (7 нм) и N+3 (5 нм). Узел N+2 активно используется компанией Huawei для выпуска серии ИИ-ускорителей Ascend, а также другой инфраструктурной продукции. Техпроцесс класса 5 нм (N+3) также предлагается сторонним заказчикам и демонстрирует стабильную генерацию прибыли.
Особенности использования DUV-оборудования
На пути к амбициозным целям в производстве чипов компания сталкивается с серьезными вызовами. SMIC полностью лишена доступа к инструментам экстремальной ультрафиолетовой литографии (EUV), так как нидерландская ASML, являющаяся единственным масштабным поставщиком таких сканеров, ограничила их экспорт. В связи с этим китайский производитель вынужден полагаться на DUV-сканеры (глубокий ультрафиолет).
EUV-сканеры обладают значительным преимуществом при работе с топологиями малых размеров благодаря длине волны в 13,5 нм, тогда как у лучших иммерсионных DUV-сканеров этот показатель составляет 193 нм. Однократное экспонирование на передовом DUV-оборудовании позволяет достичь разрешения для узлов менее 38 нм. По мнению экспертов, SMIC оптимизировала свои машины, добившись показателей около 35 нм за один проход. Для полноценного формирования рисунка схемы компания применяет многократную печать. Логично предположить, что при создании своего новейшего узла N+3 производитель использует методы самосовмещенной четверной фотолитографии (SAQP), которые уже много лет применяются в полупроводниковой индустрии для преодоления физических ограничений существующих сканеров.
Технологические вызовы и методы литографии
Основное препятствие для SMIC заключается в фундаментальной разнице физических характеристик доступного оборудования. Использование EUV-сканеров открывает гораздо больше возможностей для создания топологий малого размера за счет длины волны в 13,5 нм, в то время как DUV-системы ограничены 193 нм. Это заставляет китайского производителя компенсировать технологическую разницу путем усложнения производственных процессов.
Для создания полноценного рисунка схемы на техпроцессах нового поколения SMIC вынуждена прибегать к многократному экспонированию. По экспертным оценкам, специалисты компании смогли оптимизировать работу DUV-оборудования, доведя разрешение печати до 35 нм в рамках одного прохода. Для достижения параметров, необходимых для 5-нм узла (N+3), компания, вероятнее всего, задействовала методы самосовмещенной четверной фотолитографии (SAQP). Данная техника, успешно зарекомендовавшая себя в полупроводниковой индустрии на протяжении многих лет, позволяет преодолеть физические ограничения однократного прохода сканеров, обеспечивая стабильную доходность новейших техпроцессов SMIC.
